Vishay Siliconix IRFD213 MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

IRFD213

MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

حصے کا نمبر

IRFD213

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

4-DIP (0.300", 7.62mm)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

250V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

450mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2 Ohm @ 270mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

8.2nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

140pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53724 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP