Vishay Siliconix 2N6661JAN02 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

2N6661JAN02

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

حصے کا نمبر

2N6661JAN02

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-39

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

90V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

860mA (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

50pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 29621 PCS

رابطے کی معلومات