Vishay Semiconductor Diodes Division VSIB660-E3/45 DIODE 6A 600V SGL BRIDGE 4SIP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

VSIB660-E3/45

DIODE 6A 600V SGL BRIDGE 4SIP

حصے کا نمبر

VSIB660-E3/45

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

Standard

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

4-SIP, GSIB-5S

سپلائر ڈیوائس پیکیج

GSIB-5S

ڈایڈڈ کی قسم

Single Phase

وولٹیج - چوٹی ریورس (زیادہ سے زیادہ)

600V

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

2.8A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

950mV @ 3A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 600V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 54088 PCS

رابطے کی معلومات