Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT50TP60N IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

VS-GT50TP60N

IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

حصے کا نمبر

VS-GT50TP60N

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

آپریٹنگ درجہ حرارت

175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

INT-A-PAK (3 + 4)

پاور - زیادہ سے زیادہ

208W

کنفیگریشن

Half Bridge

سپلائر ڈیوائس پیکیج

INT-A-PAK

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

85A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

600V

موجودہ - کلیکٹر کٹ آف (زیادہ سے زیادہ)

1mA

IGBT قسم

Trench

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

ان پٹ کیپیسیٹینس (Cies) @ Vce

3.03nF @ 30V

ان پٹ

Standard

این ٹی سی تھرمسٹر

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36833 PCS

رابطے کی معلومات