Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP60N IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

VS-GT100TP60N

IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

حصے کا نمبر

VS-GT100TP60N

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

آپریٹنگ درجہ حرارت

175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

INT-A-PAK (3 + 4)

پاور - زیادہ سے زیادہ

417W

کنفیگریشن

Half Bridge

سپلائر ڈیوائس پیکیج

INT-A-PAK

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

160A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

600V

موجودہ - کلیکٹر کٹ آف (زیادہ سے زیادہ)

5mA

IGBT قسم

Trench

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

ان پٹ کیپیسیٹینس (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

ان پٹ

Standard

این ٹی سی تھرمسٹر

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 19818 PCS

رابطے کی معلومات