Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP120N IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

VS-GT100TP120N

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

حصے کا نمبر

VS-GT100TP120N

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

آپریٹنگ درجہ حرارت

175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

INT-A-PAK (3 + 4)

پاور - زیادہ سے زیادہ

652W

کنفیگریشن

Half Bridge

سپلائر ڈیوائس پیکیج

INT-A-PAK

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

180A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

موجودہ - کلیکٹر کٹ آف (زیادہ سے زیادہ)

5mA

IGBT قسم

Trench

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 100A

ان پٹ کیپیسیٹینس (Cies) @ Vce

12.8nF @ 30V

ان پٹ

Standard

این ٹی سی تھرمسٹر

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 54033 PCS

رابطے کی معلومات