Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120N IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

VS-GB100TH120N

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

حصے کا نمبر

VS-GB100TH120N

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

Double INT-A-PAK (3 + 4)

پاور - زیادہ سے زیادہ

833W

کنفیگریشن

Half Bridge

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Double INT-A-PAK

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

200A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

موجودہ - کلیکٹر کٹ آف (زیادہ سے زیادہ)

5mA

IGBT قسم

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 100A

ان پٹ کیپیسیٹینس (Cies) @ Vce

8.58nF @ 25V

ان پٹ

Standard

این ٹی سی تھرمسٹر

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 29703 PCS

رابطے کی معلومات