Vishay Semiconductor Diodes Division RS3JHE3/9AT DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

RS3JHE3/9AT

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

حصے کا نمبر

RS3JHE3/9AT

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DO-214AB, SMC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DO-214AB (SMC)

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.3V @ 2.5A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 600V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

250ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

34pF @ 4V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 6996 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

RS3J M6G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB