Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3BHE3/9AT DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

ESH3BHE3/9AT

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

حصے کا نمبر

ESH3BHE3/9AT

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DO-214AB, SMC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DO-214AB (SMC)

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

900mV @ 3A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

5µA @ 100V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

100V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

40ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 46893 PCS

رابطے کی معلومات