Vishay Semiconductor Diodes Division 10ETF12S DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

10ETF12S

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

حصے کا نمبر

10ETF12S

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-263AB (D²PAK)

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

10A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.33V @ 10A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

100µA @ 1200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

310ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-40°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 11651 PCS

رابطے کی معلومات