Texas Instruments CSD25304W1015T MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

CSD25304W1015T

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

حصے کا نمبر

CSD25304W1015T

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-UFBGA, DSBGA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-DSBGA

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

750mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.15V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

595pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 40547 PCS

رابطے کی معلومات