Texas Instruments CSD25201W15 MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

CSD25201W15

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

حصے کا نمبر

CSD25201W15

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

9-UFBGA, DSBGA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

9-DSBGA

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.5W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

40 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

510pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

-6V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 44425 PCS

رابطے کی معلومات