Texas Instruments CSD23285F5 MOSFET P-CH 12V

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

CSD23285F5

MOSFET P-CH 12V

حصے کا نمبر

CSD23285F5

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

FemtoFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

3-XFDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

3-PICOSTAR

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

500mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

5.4A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

950mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

628pF @ 6V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

-6V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 33538 PCS

رابطے کی معلومات