Texas Instruments CSD23203WT MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

CSD23203WT

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

حصے کا نمبر

CSD23203WT

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-UFBGA, DSBGA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-DSBGA

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

750mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

914pF @ 4V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

-6V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 50245 PCS

رابطے کی معلومات