STMicroelectronics STP27N60M2-EP MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

STP27N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

حصے کا نمبر

STP27N60M2-EP

مینوفیکچرر/برانڈ

STMicroelectronics

سلسلہ

MDmesh™ M2-EP

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

170W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

20A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

163 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.75V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

33nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1320pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36798 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

STP200N3LL

N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120