STMicroelectronics STH275N8F7-6AG MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

STH275N8F7-6AG

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

حصے کا نمبر

STH275N8F7-6AG

مینوفیکچرر/برانڈ

STMicroelectronics

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

H2PAK-6

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

315W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

80V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

180A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

193nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

13600pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16925 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

STH210N75F6-2

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2