STMicroelectronics STB7NK80Z-1 MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

STB7NK80Z-1

MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

حصے کا نمبر

STB7NK80Z-1

مینوفیکچرر/برانڈ

STMicroelectronics

سلسلہ

SuperMESH™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

I2PAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

125W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

800V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

5.2A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.8 Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

56nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1138pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 46695 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

STB70N10F4

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK