STMicroelectronics STB33N60M2 MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

STB33N60M2

MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

حصے کا نمبر

STB33N60M2

مینوفیکچرر/برانڈ

STMicroelectronics

سلسلہ

MDmesh™ II Plus

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D2PAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

190W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

26A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

125 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

45.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1781pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 40092 PCS

رابطے کی معلومات