Rohm Semiconductor RS1E280GNTB MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

RS1E280GNTB

MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

حصے کا نمبر

RS1E280GNTB

مینوفیکچرر/برانڈ

Rohm Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerTDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-HSOP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3W (Ta), 31W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

28A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.6 mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

36nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2300pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 41029 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

RS1E130GNTB

MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP