Rohm Semiconductor RQ3E180AJTB MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

RQ3E180AJTB

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

حصے کا نمبر

RQ3E180AJTB

مینوفیکچرر/برانڈ

Rohm Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-HSMT (3.2x3)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2W (Ta), 30W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

18A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

4.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 11mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

39nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4290pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53834 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8