Rohm Semiconductor RP1E125XNTR MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

RP1E125XNTR

MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6

حصے کا نمبر

RP1E125XNTR

مینوفیکچرر/برانڈ

Rohm Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-SMD, Flat Leads

سپلائر ڈیوائس پیکیج

MPT6

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12.5A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

12 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

12.7nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1000pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 27200 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

RP1E050RPTR

MOSFET P-CH 30V 5A MPT6