Rohm Semiconductor RFN1LAM6STR DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

RFN1LAM6STR

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

حصے کا نمبر

RFN1LAM6STR

مینوفیکچرر/برانڈ

Rohm Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOD-128

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PMDTM

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

800mA

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.45V @ 800mA

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

1µA @ 600V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

35ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

150°C (Max)

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 38784 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

RFN10B3STL

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD