ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

NVMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

حصے کا نمبر

NVMFD5C650NLT1G

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerTDFN

پاور - زیادہ سے زیادہ

3.5W (Ta), 125W (Tc)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

4.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.2V @ 98µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

16nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2546pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 47841 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

NVMFD5483NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN