ON Semiconductor NTD3813N-1G MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

NTD3813N-1G

MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

حصے کا نمبر

NTD3813N-1G

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

I-PAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

16V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9.6A (Ta), 51A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

8.75 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

12.8nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

963pF @ 12V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±16V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 35670 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

NTD3055-094

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK