FQD2N100TM
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
حصے کا نمبر
FQD2N100TM
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
QFET®
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
سپلائر ڈیوائس پیکیج
D-Pak
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
1.6A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
15.5nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
520pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 27796 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ FQD2N100TM
FQD2N100TM الیکٹرانک اجزاء
FQD2N100TM سیلز
FQD2N100TM فراہم کنندہ
FQD2N100TM فراہم کنندہ
FQD2N100TM ڈیٹا ٹیبل
FQD2N100TM تصاویر
FQD2N100TM قیمت
FQD2N100TM پیشکش
FQD2N100TM کم ترین قیمت
FQD2N100TM تلاش کریں۔
FQD2N100TM خریداری
FQD2N100TM Chip