FQB8P10TM
MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
حصے کا نمبر
FQB8P10TM
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
QFET®
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
D²PAK (TO-263AB)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
FET قسم
P-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
530 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
15nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
470pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 36015 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ FQB8P10TM
FQB8P10TM الیکٹرانک اجزاء
FQB8P10TM سیلز
FQB8P10TM فراہم کنندہ
FQB8P10TM فراہم کنندہ
FQB8P10TM ڈیٹا ٹیبل
FQB8P10TM تصاویر
FQB8P10TM قیمت
FQB8P10TM پیشکش
FQB8P10TM کم ترین قیمت
FQB8P10TM تلاش کریں۔
FQB8P10TM خریداری
FQB8P10TM Chip