ON Semiconductor FDV302P-NB8V001 MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

FDV302P-NB8V001

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

حصے کا نمبر

FDV302P-NB8V001

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOT-23

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

350mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

25V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

120mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

10 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

11pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.7V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

-8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 48733 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

FDV301N

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23