FDD4N60NZ
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
حصے کا نمبر
FDD4N60NZ
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
UniFET-II™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
سپلائر ڈیوائس پیکیج
DPAK
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
114W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
600V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
3.4A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
10.8nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
510pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±25V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 29256 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ FDD4N60NZ
FDD4N60NZ الیکٹرانک اجزاء
FDD4N60NZ سیلز
FDD4N60NZ فراہم کنندہ
FDD4N60NZ فراہم کنندہ
FDD4N60NZ ڈیٹا ٹیبل
FDD4N60NZ تصاویر
FDD4N60NZ قیمت
FDD4N60NZ پیشکش
FDD4N60NZ کم ترین قیمت
FDD4N60NZ تلاش کریں۔
FDD4N60NZ خریداری
FDD4N60NZ Chip