FDC636P
MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
حصے کا نمبر
FDC636P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
-
حصہ کی حیثیت
Obsolete
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
سپلائر ڈیوائس پیکیج
SuperSOT™-6
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
1.6W (Ta)
FET قسم
P-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
20V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
2.8A (Ta)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
1V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
390pF @ 10V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
2.5V, 4.5V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±8V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 42736 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ FDC636P
FDC636P الیکٹرانک اجزاء
FDC636P سیلز
FDC636P فراہم کنندہ
FDC636P فراہم کنندہ
FDC636P ڈیٹا ٹیبل
FDC636P تصاویر
FDC636P قیمت
FDC636P پیشکش
FDC636P کم ترین قیمت
FDC636P تلاش کریں۔
FDC636P خریداری
FDC636P Chip