ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

2SK3666-3-TB-E

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

حصے کا نمبر

2SK3666-3-TB-E

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

پاور - زیادہ سے زیادہ

200mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

3-CP

FET قسم

N-Channel

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4pF @ 10V

وولٹیج - خرابی (V(BR)GSS)

موجودہ - ڈرین (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

کرنٹ ڈرین (Id) - زیادہ سے زیادہ

10mA

وولٹیج - کٹ آف (VGS آف) @ Id

180mV @ 1µA

مزاحمت - RDS(آن)

200 Ohms

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 8378 PCS

رابطے کی معلومات