Microsemi Corporation JAN1N6640US DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

JAN1N6640US

DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

حصے کا نمبر

JAN1N6640US

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

Military, MIL-PRF-19500/609

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SQ-MELF, B

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D-5B

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

300mA

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1V @ 300mA

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

100nA @ 50V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

50V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

4ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-65°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 38914 PCS

رابطے کی معلومات