Microsemi Corporation JAN1N6622US DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

JAN1N6622US

DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

حصے کا نمبر

JAN1N6622US

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

Military, MIL-PRF-19500/585

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SQ-MELF, A

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D-5A

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

1.2A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.4V @ 1.2A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

500nA @ 660V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

660V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

30ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-65°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

10pF @ 10V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 30083 PCS

رابطے کی معلومات