Microsemi Corporation APTC90H12T2G MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTC90H12T2G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

حصے کا نمبر

APTC90H12T2G

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tray

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP2

پاور - زیادہ سے زیادہ

250W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP2

FET قسم

4 N-Channel (H-Bridge)

FET کی خصوصیت

Super Junction

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

900V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

30A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

120 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 3mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

270nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6800pF @ 100V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 52056 PCS

رابطے کی معلومات