Microsemi Corporation APTC90DAM60CT1G MOSFET N-CH 900V 59A SP1

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTC90DAM60CT1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

حصے کا نمبر

APTC90DAM60CT1G

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP1

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP1

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

462W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Super Junction

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

900V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

59A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

60 mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 6mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

540nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

13600pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42494 PCS

رابطے کی معلومات