تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
APT9F100B

APT9F100B

MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
حصے کا نمبر
APT9F100B
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
POWER MOS 8™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247 [B]
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
337W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
1.6 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
80nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2606pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 21510 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ APT9F100B
APT9F100B الیکٹرانک اجزاء
APT9F100B سیلز
APT9F100B فراہم کنندہ
APT9F100B فراہم کنندہ
APT9F100B ڈیٹا ٹیبل
APT9F100B تصاویر
APT9F100B قیمت
APT9F100B پیشکش
APT9F100B کم ترین قیمت
APT9F100B تلاش کریں۔
APT9F100B خریداری
APT9F100B Chip