Microsemi Corporation APT80SM120B POWER MOSFET - SIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APT80SM120B

POWER MOSFET - SIC

حصے کا نمبر

APT80SM120B

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

SiCFET (Silicon Carbide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-247

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

555W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

80A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

55 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

235nC @ 20V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

20V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

+25V, -10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 43636 PCS

رابطے کی معلومات