Microsemi Corporation APT45GP120B2DQ2G IGBT 1200V 113A 625W TMAX

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APT45GP120B2DQ2G

IGBT 1200V 113A 625W TMAX

حصے کا نمبر

APT45GP120B2DQ2G

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

POWER MOS 7®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ان پٹ کی قسم

Standard

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3 Variant

پاور - زیادہ سے زیادہ

625W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

113A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

IGBT قسم

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

کرنٹ - کلیکٹر پلسڈ (ICM)

170A

سوئچنگ انرجی

900µJ (on), 905µJ (off)

گیٹ چارج

185nC

Td (آن/آف) @ 25�C

18ns/100ns

ٹیسٹ کی حالت

600V, 45A, 5 Ohm, 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 49801 PCS

رابطے کی معلومات