Microsemi Corporation APT34N80B2C3G MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APT34N80B2C3G

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

حصے کا نمبر

APT34N80B2C3G

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3 Variant

سپلائر ڈیوائس پیکیج

T-MAX™ [B2]

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

417W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

800V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

34A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

145 mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.9V @ 2mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

355nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4510pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 5178 PCS

رابطے کی معلومات