Microsemi Corporation APT22F100J MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APT22F100J

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

حصے کا نمبر

APT22F100J

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

POWER MOS 8™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SOT-227-4, miniBLOC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ISOTOP®

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

545W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

23A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

380 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

305nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

9835pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16094 PCS

رابطے کی معلومات