Microsemi Corporation APT19M120J MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APT19M120J

MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

حصے کا نمبر

APT19M120J

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

POWER MOS 8™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SOT-227-4, miniBLOC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ISOTOP®

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

545W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

19A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

530 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 2.5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

300nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

9670pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 23038 PCS

رابطے کی معلومات