Microsemi Corporation APT18M100B MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APT18M100B

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

حصے کا نمبر

APT18M100B

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-247 [B]

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

625W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

18A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

700 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

150nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4845pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 17962 PCS

رابطے کی معلومات