Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APT10M11B2VFRG

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

حصے کا نمبر

APT10M11B2VFRG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

POWER MOS V®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3 Variant

سپلائر ڈیوائس پیکیج

T-MAX™

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

520W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

100A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

11 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 2.5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

450nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

10300pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 47859 PCS

رابطے کی معلومات