Microsemi Corporation 1N5618US DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

1N5618US

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

حصے کا نمبر

1N5618US

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SQ-MELF, A

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D-5A

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.3V @ 3A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

500nA @ 600V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

رفتار

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

2µs

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-65°C ~ 200°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42686 PCS

رابطے کی معلومات