تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
IXFX21N100F

IXFX21N100F

MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
حصے کا نمبر
IXFX21N100F
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerRF™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PLUS247™-3
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
500W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
21A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5.5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
160nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
5500pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 19628 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ IXFX21N100F
IXFX21N100F الیکٹرانک اجزاء
IXFX21N100F سیلز
IXFX21N100F فراہم کنندہ
IXFX21N100F فراہم کنندہ
IXFX21N100F ڈیٹا ٹیبل
IXFX21N100F تصاویر
IXFX21N100F قیمت
IXFX21N100F پیشکش
IXFX21N100F کم ترین قیمت
IXFX21N100F تلاش کریں۔
IXFX21N100F خریداری
IXFX21N100F Chip