IXYS-RF IXFN55N50F MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFN55N50F

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

حصے کا نمبر

IXFN55N50F

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS-RF

سلسلہ

HiPerRF™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SOT-227-4, miniBLOC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOT-227B

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

600W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

500V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

55A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

85 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5.5V @ 8mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

195nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6700pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 31295 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B