IXYS IXTY1R4N60P TRL MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXTY1R4N60P TRL

MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

حصے کا نمبر

IXTY1R4N60P TRL

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

Polar™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-252, (D-Pak)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

50W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.4A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5.5V @ 25µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

5.2nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

140pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 8181 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXTY01N100

MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK