IXTY1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
حصے کا نمبر
IXTY1N100P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
Polar™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-252, (D-Pak)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
50W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
1A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 50µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
15.5nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
331pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 24115 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTY1N100P
IXTY1N100P الیکٹرانک اجزاء
IXTY1N100P سیلز
IXTY1N100P فراہم کنندہ
IXTY1N100P فراہم کنندہ
IXTY1N100P ڈیٹا ٹیبل
IXTY1N100P تصاویر
IXTY1N100P قیمت
IXTY1N100P پیشکش
IXTY1N100P کم ترین قیمت
IXTY1N100P تلاش کریں۔
IXTY1N100P خریداری
IXTY1N100P Chip