تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
IXTQ30N50P

IXTQ30N50P

MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
حصے کا نمبر
IXTQ30N50P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
PolarHV™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-3P-3, SC-65-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-3P
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
460W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
500V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
70nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4150pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 53615 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ IXTQ30N50P
IXTQ30N50P الیکٹرانک اجزاء
IXTQ30N50P سیلز
IXTQ30N50P فراہم کنندہ
IXTQ30N50P فراہم کنندہ
IXTQ30N50P ڈیٹا ٹیبل
IXTQ30N50P تصاویر
IXTQ30N50P قیمت
IXTQ30N50P پیشکش
IXTQ30N50P کم ترین قیمت
IXTQ30N50P تلاش کریں۔
IXTQ30N50P خریداری
IXTQ30N50P Chip