IXFR21N100Q
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
حصے کا نمبر
IXFR21N100Q
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
ISOPLUS247™
سپلائر ڈیوائس پیکیج
ISOPLUS247™
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
350W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
170nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
5900pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 16685 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFR21N100Q
IXFR21N100Q الیکٹرانک اجزاء
IXFR21N100Q سیلز
IXFR21N100Q فراہم کنندہ
IXFR21N100Q فراہم کنندہ
IXFR21N100Q ڈیٹا ٹیبل
IXFR21N100Q تصاویر
IXFR21N100Q قیمت
IXFR21N100Q پیشکش
IXFR21N100Q کم ترین قیمت
IXFR21N100Q تلاش کریں۔
IXFR21N100Q خریداری
IXFR21N100Q Chip