IXFR20N80P
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
حصے کا نمبر
IXFR20N80P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarHT™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
ISOPLUS247™
سپلائر ڈیوائس پیکیج
ISOPLUS247™
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
166W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
800V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
11A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
500 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
85nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4680pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 26456 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFR20N80P
IXFR20N80P الیکٹرانک اجزاء
IXFR20N80P سیلز
IXFR20N80P فراہم کنندہ
IXFR20N80P فراہم کنندہ
IXFR20N80P ڈیٹا ٹیبل
IXFR20N80P تصاویر
IXFR20N80P قیمت
IXFR20N80P پیشکش
IXFR20N80P کم ترین قیمت
IXFR20N80P تلاش کریں۔
IXFR20N80P خریداری
IXFR20N80P Chip